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      LED顯示屏芯片的制造工藝節(jié)點通常在20納米至100納米之間，這表明隨著科技的進步，LED芯片的精細度不斷提高。然而，具體到某個LED顯示屏芯片的工藝尺寸，會根據(jù)制造商的技術水平、產(chǎn)品定位以及應用需求而有所不同。

      例如，晶合集成（JHL Integration）已經(jīng)實現(xiàn)了55納米平臺觸控與顯示驅動器集成芯片（TDDI）的大規(guī)模量產(chǎn)，并且40納米高壓OLED平臺開發(fā)也取得了重大成果。這些信息表明，在特定的應用場景下，如顯示驅動芯片，LED相關技術可以達到更先進的工藝節(jié)點。

       對于LED顯示屏本身，特別是Micro-LED和Nano-LED這樣的新型顯示技術，它們的目標是實現(xiàn)超小尺寸的發(fā)光像素，以獲得更高的分辨率和更好的畫質(zhì)。這類顯示屏的制備涉及到了微米乃至納米級別的半導體工藝，但具體的工藝節(jié)點會依賴于所采用的技術路徑和最終產(chǎn)品的規(guī)格要求。

      值得注意的是，雖然某些高性能處理器如手機SoC或電腦CPU可能會用到14納米及以下的工藝，但這并不適用于所有類型的芯片，尤其是LED顯示屏芯片。對于LED芯片而言，其關鍵在于如何通過優(yōu)化設計和材料來提高效率、亮度和色彩質(zhì)量，而不一定追求最小的工藝節(jié)點。